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ASDM30P100KQ-R
ASDsemi(安森德)
TO-252
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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ASDM30P100KQ-R
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ASDsemi(安森德)
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TO-252
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5000+:￥0.7756 2500+:￥0.8271 500+:￥0.9129 150+:￥1.2881 50+:￥1.4426 5+:￥1.8029 |
10175 |
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立创商城
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ASDM30P100KQ-R
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Ascend(安森德)
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TO-252
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100+:￥0.867 30+:￥1.224 10+:￥1.37 1+:￥1.713 |
12835 |
20+/21+
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在芯间
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ASDM30P100KQ-R
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ASDsemi(安森德)
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TO-252(DPAK)
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1+:￥1.2875 |
1618 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |