NCE30D2519K
NCE(无锡新洁能)
TO-252-4
¥0.6048
24,541
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道+1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):25A,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@4.5V
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NCE30D2519K
NCE(新洁能)
TO-252-4

2500+:¥0.6048

1+:¥0.6534

3875

2年内
立即发货
NCE30D2519K
NCE(新洁能)
TO-252-4

2500+:¥0.616

1250+:¥0.6655

100+:¥0.7854

50+:¥1.0208

3875

-
3天-15天
NCE30D2519K
NCE(新洁能)
TO-252-4

2500+:¥0.62899

1+:¥0.67954

3861

2年内
1-2工作日发货
NCE30D2519K
新洁能(NCE)
TO-252-4

25000+:¥0.6653

5000+:¥0.7182

2500+:¥0.756

800+:¥1.0584

200+:¥1.512

10+:¥2.4608

3865

-
NCE30D2519K
NCE(新洁能)
TO-252-4

1000+:¥0.6935

500+:¥0.71041

100+:¥0.73843

30+:¥0.80151

10+:¥0.85196

1+:¥0.96985

7500

2040
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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 25A
导通电阻(RDS(on)) 18mΩ@4.5V