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CSD17571Q2
TI(德州仪器)
6-WDFN 裸露焊盘
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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TI
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[(DQK), 6]
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现货最快4H发
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京北通宇
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TI(德州仪器)
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6-SON（2x2）
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3000+:￥0.851 1+:￥0.898 |
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2年内
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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WSON-6(2x2)
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6000+:￥0.8749 3000+:￥0.9361 500+:￥1.0173 150+:￥1.2672 50+:￥1.4218 5+:￥1.8416 |
240 |
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立创商城
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TI(德州仪器)
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SON-6(2x2)
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3000+:￥0.88504 1+:￥0.93392 |
2772 |
2年内
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硬之城
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TI(德州仪器)
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6-SON(2x2)
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1500+:￥0.9878 750+:￥1.0461 100+:￥1.177 40+:￥1.463 |
2775 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 468 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3 |