AON7534-HXY
华轩阳
DFN3x3-8L
¥0.43893
1,360
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):100A,导通电阻(RDS(on)):4mΩ@10V,30A
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渠道
AON7534-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN3x3-8L

5000+:¥0.4389

2500+:¥0.4686

500+:¥0.5593

150+:¥0.6704

50+:¥0.7594

5+:¥0.9671

1360

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 100A
导通电阻(RDS(on)) 4mΩ@10V,30A