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SI1012CR-T1-GE3
VISHAY(威世)
SC-75A
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：630mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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VISHAY(威世)
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SC-75A
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3000+:￥0.319 1+:￥0.341 |
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圣禾堂
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硬之城
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威世(VISHAY)
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30000+:￥0.3509 6000+:￥0.3789 3000+:￥0.3988 800+:￥0.5583 200+:￥0.7976 10+:￥1.2981 |
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油柑网
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3000+:￥0.3524 500+:￥0.3997 150+:￥0.4588 50+:￥0.5377 5+:￥0.6954 |
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Vishay(威世)
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SC-75A
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3000+:￥0.4147 1500+:￥0.4433 200+:￥0.4875 90+:￥0.5984 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 630mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 396 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 43 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 240mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |