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DMN3053L-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMN3053L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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6000+:￥0.2642 3000+:￥0.2817 500+:￥0.3168 150+:￥0.3606 50+:￥0.419 5+:￥0.5359 |
14230 |
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立即发货
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立创商城
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DMN3053L-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.27 1+:￥0.305 |
4587 |
22+
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圣禾堂
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DMN3053L-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2808 1+:￥0.3172 |
4583 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN3053L-7
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Diodes(达尔)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2808 1500+:￥0.3172 200+:￥0.364 90+:￥0.5658 |
4587 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN3053L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23(SOT-23-3)
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500+:￥0.29 150+:￥0.33 50+:￥0.38 5+:￥0.51 |
6000 |
22+/23+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 676 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 760mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |