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FDN352AP
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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FDN352AP
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ON(安森美)
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SuperSOT-3
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3000+:￥0.48 1+:￥0.514 |
398 |
24+
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圣禾堂
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FDN352AP
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.4868 1000+:￥0.49584 500+:￥0.50488 100+:￥0.51347 10+:￥0.5198 |
2204 |
22+
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现货
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硬之城
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FDN352AP
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.4992 1+:￥0.53456 |
391 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDN352AP
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.5385 1000+:￥0.5485 500+:￥0.5585 100+:￥0.568 10+:￥0.575 |
67375 |
23+
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现货
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硬之城
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FDN352AP
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.5505 3000+:￥0.581 500+:￥0.6741 150+:￥0.7882 50+:￥0.8797 5+:￥1.0931 |
1210 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 1.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.9 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |