FDN352AP
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.48
73,320
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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FDN352AP
ON(安森美)
SuperSOT-3

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FDN352AP
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.4868

1000+:¥0.49584

500+:¥0.50488

100+:¥0.51347

10+:¥0.5198

2204

22+
现货
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ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.4992

1+:¥0.53456

391

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FDN352AP
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.5385

1000+:¥0.5485

500+:¥0.5585

100+:¥0.568

10+:¥0.575

67375

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onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.5505

3000+:¥0.581

500+:¥0.6741

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50+:¥0.8797

5+:¥1.0931

1210

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 1.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 150 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3