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T2N7002AK,LM
TOSHIBA(东芝)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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T2N7002AK,LM
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23
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3000+:￥0.1932 300+:￥0.227 100+:￥0.2622 10+:￥0.3327 |
5520 |
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立创商城
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T2N7002AK,LM
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Toshiba(东芝)
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SOT-23
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1200+:￥0.2135 600+:￥0.2157 100+:￥0.2491 10+:￥0.3161 |
880 |
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华秋商城
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T2N7002AK,LM
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23
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3000+:￥0.15 1+:￥0.17 |
0 |
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圣禾堂
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T2N7002AK,LM
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东芝(TOSHIBA)
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SOT-23
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300+:￥0.2392 100+:￥0.287 10+:￥0.4306 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.9 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.35 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 17 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 320mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |