AON6354
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(5x6)
¥0.74
44,411
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
AON6354
AOS
DFN5x6-8L EP1

3000+:¥0.74

1+:¥0.798

6497

2年内
立即发货
AON6354
AOS(美国万代)
DFN-8-EP(5x6)

3000+:¥0.7696

1+:¥0.82992

1850

2年内
1-2工作日发货
AON6354
AOS
DFN-8-EP(6.1x5.2)

3000+:¥0.81

500+:¥0.91

50+:¥1.15

5+:¥1.55

6515

22+/23+
AON6354
AOS(美国万代)
DFN-8-EP(5x6)

3000+:¥0.82605

1000+:¥0.84139

500+:¥0.85673

100+:¥0.87131

10+:¥0.88205

19763

24+
现货
AON6354
AOS(美国万代)
DFN 5x6

1500+:¥0.8778

750+:¥0.9658

100+:¥1.155

40+:¥1.507

1858

-
3天-15天

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 83A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1330 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 36W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerSMD,扁平引线