2N7002WT1G-VB
VBsemi(微碧)
SC70-3
¥0.278035
1,835
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):300mA,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V
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2N7002WT1G-VB
VBsemi(微碧半导体)
SC70-3

500+:¥0.278

150+:¥0.2819

50+:¥0.2859

5+:¥0.2917

1835

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立即发货
2N7002WT1G-VB
VBsemi/微碧半导体
SC-70-3

3000+:¥0.2335

500+:¥0.2436

300+:¥0.2538

10+:¥0.2741

400000

25+
3-4工作日
2N7002WT1G-VB
VBsemi/微碧半导体
SC-70-3

3000+:¥0.2335

500+:¥0.2436

300+:¥0.2538

95+:¥0.2741

400000

25+
4-6工作日
2N7002WT1G-VB
微碧半导体(VBsemi)
SC-70-3

30000+:¥0.2641

6000+:¥0.2851

3000+:¥0.3001

800+:¥0.4201

100+:¥0.6002

20+:¥0.9768

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 300mA
导通电阻(RDS(on)) 2Ω@10V