咨询/建议
NTS2101PT1G
onsemi(安森美)
SOT-323
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：8 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
NTS2101PT1G
|
ON(安森美)
|
SC-70-3（SOT323）
|
3000+:￥0.18255 1000+:￥0.18594 500+:￥0.18933 100+:￥0.19255 1+:￥0.19492 |
60000 |
22+
|
现货
|
硬之城
|
|
NTS2101PT1G
|
onsemi(安森美)
|
SOT-323
|
9000+:￥0.1932 6000+:￥0.2063 3000+:￥0.2326 300+:￥0.3173 100+:￥0.3619 10+:￥0.4511 |
106520 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
NTS2101PT1G
|
ON(安森美)
|
SOT-323
|
3000+:￥0.231 1+:￥0.26 |
3010 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
NTS2101PT1G
|
ON(安森美)
|
SOT-323(SC-70)
|
3000+:￥0.24024 1+:￥0.2704 |
3006 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
NTS2101PT1G
|
ON(安森美)
|
SC-70-3（SOT323）
|
3000+:￥0.28002 1000+:￥0.28522 500+:￥0.29042 100+:￥0.29536 10+:￥0.299 |
192857 |
24+
|
现货
|
硬之城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 8 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.4 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 640 pF @ 8 V |
| 功率耗散（最大值） | 290mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |