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DMN3023L-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMN3023L-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.455 1+:￥0.487 |
12003 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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DMN3023L-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4732 1+:￥0.50648 |
8399 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN3023L-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.4822 6000+:￥0.5206 3000+:￥0.548 800+:￥0.7672 200+:￥1.096 10+:￥1.7837 |
850 |
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油柑网
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DMN3023L-7
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DIODES INCORPORATED
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1000+:￥0.4982 1+:￥0.517 |
1232 |
2410
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现货最快4H发
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京北通宇
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DMN3023L-7
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Diodes(达尔)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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200+:￥0.5896 60+:￥0.8536 |
12003 |
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3天-15天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 18.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 873 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |