咨询/建议
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：104A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，导通电阻(RDS(on))：800mΩ@1.8V,450mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.4A，导通电阻(RDS(on))：2.2Ω@1.5V,100mA
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V,15.9A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：310mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@4.5V,2.3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@2.5V,4A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：240 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：85A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@10V,0.115A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：87mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，耗散功率(Pd)：62.5W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：9.1A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V,6.9A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@10V,8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：72mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：37mΩ@10V，耗散功率(Pd)：50W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：400mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：95mΩ@10V,3A，栅极电荷量(Qg)：9.8nC@5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.9A，导通电阻(RDS(on))：300mΩ@10V,1.9A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：33mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@10V,13A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 8A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：73mΩ@10V；85mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：3.1mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V,5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：170mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@4.5V,0.17A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@4.5V,11A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：55V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 4.7A，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：8.8mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：114mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW