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HSH047P06
HUASHUO(华朔)
TO-263
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HSH047P06
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HUASHUO(华朔)
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TO-263
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800+:￥7.0 500+:￥7.27 100+:￥7.89 30+:￥9.91 10+:￥11.25 1+:￥13.4 |
2213 |
-
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立即发货
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立创商城
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HSH047P06
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HUASHUO(华朔)
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TO-263
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100+:￥8.09 30+:￥10.11 10+:￥11.45 1+:￥13.6 |
808 |
20+/21+
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在芯间
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HSH047P06
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HUASHUO/深圳华朔半导体
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TO-263-2
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500+:￥7.1253 100+:￥7.7406 30+:￥9.7242 10+:￥11.0642 1+:￥13.2201 |
727 |
2448+
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1工作日
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云汉芯城
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HSH047P06
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HUASHUO/深圳华朔半导体
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TO-263-2
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1000+:￥7.1739 300+:￥7.3333 100+:￥7.5 30+:￥8.8 10+:￥9.4286 1+:￥10.1538 |
800 |
25+
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1工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V |