SI4401DDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
¥1.33
41,054
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.1A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI4401DDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
8-SO

2500+:¥1.33

1+:¥1.4

9071

2年内
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SI4401DDY-T1-GE3
Vishay(威世)
SOIC-8

2500+:¥1.3832

1+:¥1.456

9064

2年内
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SI4401DDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8

1000+:¥1.42

500+:¥1.51

100+:¥1.67

30+:¥2.03

10+:¥2.32

1+:¥2.99

1883

-
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威世(VISHAY)
SOIC-8

25000+:¥1.463

5000+:¥1.5794

2500+:¥1.6625

800+:¥2.3275

200+:¥3.325

10+:¥5.4114

9071

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SOIC-8

2500+:¥1.463

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