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BSS127S-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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BSS127S-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.235 1+:￥0.266 |
29837 |
25+
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圣禾堂
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BSS127S-7
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Diodes(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.2444 1+:￥0.27664 |
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2年内
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硬之城
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BSS127S-7
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Diodes(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.2444 1+:￥0.27664 |
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硬之城
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BSS127S-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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6000+:￥0.256 3000+:￥0.2723 500+:￥0.3509 150+:￥0.3917 50+:￥0.4461 5+:￥0.5548 |
7565 |
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立创商城
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BSS127S-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.2585 6000+:￥0.2791 3000+:￥0.2938 800+:￥0.4113 200+:￥0.5876 10+:￥0.9563 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 欧姆 @ 16mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.08 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21.8 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 610mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |