AON7264E-HXY
华轩阳
DFN3x3-8L
¥0.598762
6,140
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):40A,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@10V,20A
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
AON7264E-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN3x3-8L

5000+:¥0.5988

2500+:¥0.6299

500+:¥0.8432

150+:¥0.96

50+:¥1.0535

5+:¥1.2719

6140

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 40A
导通电阻(RDS(on)) 15mΩ@10V,20A