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BSC0805LSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：79A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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BSC0805LSATMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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50000+:￥1.5537 10000+:￥1.6773 5000+:￥1.7656 500+:￥2.4718 100+:￥3.5312 20+:￥5.747 |
40000 |
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油柑网
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BSC0805LSATMA1
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INFINEON
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PG-TDSON-8
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1+:￥6.999 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSC0805LSATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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2000+:￥1.6005 500+:￥1.6296 100+:￥1.746 1+:￥1.8915 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 79A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 49µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2700 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |