咨询/建议
CSD17575Q3
TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
|
1000+:￥2.0273 500+:￥2.1534 100+:￥2.6869 30+:￥3.17 10+:￥3.58 1+:￥4.38 |
2400 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
|
5000+:￥2.40238 1000+:￥2.43628 500+:￥2.47018 100+:￥2.49956 10+:￥2.5312 |
574 |
21+
|
现货
|
硬之城
|
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
|
2500+:￥2.97 1+:￥3.1 |
6862 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
|
2500+:￥3.0888 1+:￥3.224 |
6799 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSON-CLIP8
|
500+:￥3.1074 10+:￥3.4776 1+:￥4.2642 |
203 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 30 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4420 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），108W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |