咨询/建议
BSC117N08NS5ATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
BSC117N08NS5
|
Infineon(英飞凌)
|
TDSON-8
|
500+:￥3.21 100+:￥3.56 30+:￥4.15 10+:￥4.75 1+:￥5.94 |
611 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
BSC117N08NS5ATMA1
|
INFINEON
|
PG-TDSON-8
|
1+:￥4.41 |
725 |
2228
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
BSC117N08NS5ATMA1
|
英飞凌(INFINEON)
|
TDSON-8
|
1000+:￥4.8 500+:￥5.52 100+:￥6.0 30+:￥6.72 10+:￥8.16 1+:￥9.6 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 49A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.7 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 22µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 18 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |