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BSC030P03NS3GAUMA1
Infineon(英飞凌)
8-PowerTDFN
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25.4A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8-EP(5x6)
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5000+:￥3.6 1+:￥3.74 |
2619 |
25+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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1000+:￥3.61 500+:￥3.76 100+:￥4.1 30+:￥4.86 10+:￥5.53 1+:￥6.75 |
2308 |
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON8_5.15X5.9MM
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1+:￥5.2206 |
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8-1
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500+:￥7.99 100+:￥8.31 20+:￥8.82 1+:￥9.32 |
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22+/23+
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在芯间
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TDSON-8
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25.4A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.1V @ 345µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 186 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14000 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |