咨询/建议
ASDM60R042NQ-R
ASDsemi(安森德)
DFN5x6-8
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：116A，导通电阻(RDS(on))：5.2mΩ@10V，耗散功率(Pd)：113W
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
ASDM60R042NQ-R
|
ASDsemi(安森德)
|
DFN5x6-8
|
4000+:￥0.8681 2500+:￥0.9243 500+:￥1.0179 150+:￥1.3908 50+:￥1.5593 5+:￥1.9524 |
4880 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
ASDM60R042NQ-R
|
Ascend(安森德)
|
PDFN5x6-8
|
100+:￥1.024 30+:￥1.397 10+:￥1.566 1+:￥1.959 |
0 |
20+/21+
|
在芯间
|
|
|
ASDM60R042NQ-R
|
ASDsemi(安森德)
|
DFN8_5X6MM
|
2147483647+:￥1.2 4000+:￥1.58 1000+:￥1.65 100+:￥1.75 10+:￥1.85 1+:￥2.0 |
3 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 116A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 113W |