IRFL9014TRPBF
VISHAY(威世)
SOT-223
¥0.76
78,223
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFL9014TRPBF
VISHAY(威世)
SOT-223

2500+:¥0.76

1+:¥0.82

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VISHAY(威世)
SOT-223

5000+:¥0.7878

2500+:¥0.8371

500+:¥0.9192

150+:¥1.2174

50+:¥1.3682

5+:¥1.7202

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Vishay(威世)
SOT-223-4

2500+:¥0.7904

1+:¥0.8528

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威世(VISHAY)
SOT-223-4

25000+:¥0.836

5000+:¥0.9025

2500+:¥0.95

800+:¥1.33

200+:¥1.9

10+:¥3.0923

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Vishay(威世)
SOT-223-3

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40+:¥1.375

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 500 毫欧 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 270 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 2W(Ta),3.1W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA