Si2302CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯)
SOT-23
¥0.051
40,346
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):3.3A,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@4.5V;62mΩ@2.5V
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SI2302CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯微)
SOT-23

3000+:¥0.051

1+:¥0.0643

2982

25+
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Si2302CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯)
SOT-23

6000+:¥0.0525

3000+:¥0.0538

500+:¥0.0563

150+:¥0.0592

50+:¥0.0639

5+:¥0.0725

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SI2302CDS-T1-GE3-ES
Elecsuper(静芯)
SOT-23

3000+:¥0.05304

1+:¥0.06687

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SI2302CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯微)
SOT-23

1500+:¥0.0965

330+:¥0.1545

2982

-
3天-15天
Si2302CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper/湖南静芯微

3000+:¥0.0552

3000

25+
3-4周

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3.3A
导通电阻(RDS(on)) 45mΩ@4.5V;62mΩ@2.5V