咨询/建议
MMBF170-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
MMBF170-7-F
|
DIODES(美台)
|
SOT23
|
3000+:￥0.094 1+:￥0.119 |
246997 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
MMBF170-7-F
|
Diodes(美台)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.09776 1+:￥0.12376 |
246994 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
MMBF170-7-F
|
美台(DIODES)
|
SOT-23
|
30000+:￥0.1034 6000+:￥0.1116 3000+:￥0.1175 800+:￥0.1645 100+:￥0.235 20+:￥0.3825 |
247095 |
-
|
油柑网
|
|
|
MMBF170-7-F
|
DIODES INCORPORATED
|
SOT-23
|
1+:￥0.1186 |
6891 |
2307
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
MMBF170-7-F
|
Diodes(达尔)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.147 1500+:￥0.1845 200+:￥0.297 80+:￥0.6523 |
155002 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |