AOD4185
UMW(友台半导体)
TO-252
¥0.523
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场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):40A,导通电阻(RDS(on)):12.5mΩ@10V
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AOD4185
UMW(友台半导体)
TO-252

2500+:¥0.523

1+:¥0.565

4023

25+
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AOD4185
UMW(广东友台半导体)
TO-252

2500+:¥0.54392

1+:¥0.5876

3941

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AOD4185(UMW)
UMW(友台半导体)
TO-252

5000+:¥0.5501

2500+:¥0.588

500+:¥0.7109

150+:¥0.8527

50+:¥0.9663

5+:¥1.2315

2300

-
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AOD4185
UMW(友台)
TO-252

2500+:¥0.5753

1250+:¥0.6215

100+:¥0.7337

60+:¥0.9537

4022

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AOD4185
UMW/友台半导体
TO-252

5000+:¥0.5355

3500+:¥0.5785

500+:¥0.6955

150+:¥0.8385

50+:¥0.9155

5+:¥1.1234

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2437+
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属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 40A
导通电阻(RDS(on)) 12.5mΩ@10V