DMN6140L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.22
19,991
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMN6140L-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.22

1+:¥0.249

5100

25+
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DMN6140L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.2288

1+:¥0.25896

5099

25+
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DMN6140L-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2411

6000+:¥0.2603

3000+:¥0.274

800+:¥0.3836

100+:¥0.548

20+:¥0.8919

423

-
DMN6140L-7
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.267

30+:¥0.302

10+:¥0.349

5+:¥0.442

330

20+/21+
DMN6140L-7
DIODES(美台)
SOT-23

300+:¥0.2796

100+:¥0.3257

10+:¥0.4178

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 8.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 315 pF @ 40 V
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3