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TP0610K-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：185mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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TP0610K-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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10000+:￥0.1317 5000+:￥0.138 1000+:￥0.1532 500+:￥0.1659 100+:￥0.1786 20+:￥0.1976 |
3143 |
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华秋商城
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TP0610K-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.205 1+:￥0.232 |
147662 |
2年内
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.2132 1+:￥0.24128 |
144653 |
2年内
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硬之城
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TP0610K-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.2454 300+:￥0.2799 100+:￥0.3259 10+:￥0.4179 |
3420 |
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VISHAY
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SOT-23
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100+:￥0.2646 1+:￥0.2744 |
3380 |
2050
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 185mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.7 nC @ 15 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |