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NTR2101PT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：8 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NTR2101PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.339 1+:￥0.363 |
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23+
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圣禾堂
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NTR2101PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.35256 1+:￥0.37752 |
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23+
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硬之城
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.36618 1000+:￥0.37298 500+:￥0.37978 100+:￥0.38624 10+:￥0.391 |
139320 |
24+
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现货
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硬之城
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NTR2101PT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.3921 3000+:￥0.4166 500+:￥0.4986 150+:￥0.56 50+:￥0.6418 5+:￥0.8054 |
5270 |
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立创商城
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NTR2101PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.4407 1500+:￥0.4719 200+:￥0.5187 80+:￥0.6369 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 8 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1173 pF @ 4 V |
| 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |