咨询/建议
RQ3E120ATTB
ROHM(罗姆)
HSMT-8(3x3.2)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
RQ3E120ATTB
|
ROHM(罗姆)
|
HSMT-8(3.2x3)
|
3000+:￥1.05 1+:￥1.11 |
16177 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
RQ3E120ATTB
|
ROHM(罗姆)
|
HSMT-8
|
3000+:￥1.092 1+:￥1.1544 |
16175 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
RQ3E120ATTB
|
ROHM(罗姆)
|
HSMT8
|
100+:￥1.148 30+:￥1.492 10+:￥1.669 1+:￥2.083 |
1645 |
20+/21+
|
在芯间
|
|
|
RQ3E120ATTB
|
ROHM(罗姆)
|
HSMT8_3.3X3.3MM
|
1000+:￥1.15 500+:￥1.2 100+:￥1.3 30+:￥1.4 1+:￥1.45 |
1320 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
RQ3E120ATTB
|
ROHM(罗姆)
|
HSMT
|
3000+:￥1.155 1500+:￥1.221 750+:￥1.298 100+:￥1.441 30+:￥1.804 |
16177 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 62 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3200 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |