IRF9640STRLPbF
VISHAY(威世)
TO-263(D2PAK)
¥4.972
14
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRF9640STRLPBF
威世(VISHAY)
TO-263

8000+:¥4.972

1600+:¥5.3675

800+:¥5.65

400+:¥7.91

100+:¥11.3

10+:¥18.3908

14

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IRF9640STRLPBF
VISHAY(威世)
D2PAK

800+:¥3.96

1+:¥4.12

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IRF9640STRLPBF
Vishay(威世)
TO-263-3

100+:¥4.13043

30+:¥4.40471

1+:¥5.17956

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201123
现货
IRF9640STRLPbF
VISHAY(威世)
TO-263(D2PAK)

800+:¥4.45

500+:¥4.62

100+:¥5.0

30+:¥5.87

10+:¥6.63

1+:¥8.02

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IRF9640STRLPBF
Vishay(威世)
TO-263(D²Pak)

500+:¥4.4748

300+:¥4.5936

150+:¥4.8708

50+:¥5.2668

10+:¥5.8608

1+:¥6.2568

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 44 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1200 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3W(Ta),125W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB