STP26NM60N
ST(意法半导体)
TO-220
¥4.7008
22,837
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):600 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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STP26NM60N
ST(意法半导体)
TO-220AB

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TO-220-3

100+:¥5.181

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TO220

500+:¥5.21

100+:¥5.33

20+:¥6.45

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1000

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ST(意法半导体)
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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 165 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1800 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3