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FDD86102LZ
onsemi(安森美)
DPAK(TO-252)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta），35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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ON(安森美)
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D-PAK（TO-252）
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2500+:￥2.1 1+:￥2.19 |
410 |
22+
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圣禾堂
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ON(安森美)
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TO-252(DPAK)
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2500+:￥2.184 1+:￥2.2776 |
393 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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安森美(onsemi)
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TO-252(DPAK)
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25000+:￥2.31 5000+:￥2.4938 2500+:￥2.625 800+:￥3.675 200+:￥5.25 10+:￥8.5444 |
410 |
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油柑网
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onsemi(安森美)
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DPAK(TO-252)
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1000+:￥2.3562 500+:￥2.4849 100+:￥2.871 30+:￥3.31 10+:￥3.72 1+:￥4.54 |
2760 |
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立即发货
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立创商城
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ON(安森美)
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TO-252-3
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5000+:￥2.39175 1000+:￥2.4255 500+:￥2.45925 100+:￥2.4885 10+:￥2.52 |
30659 |
24+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Ta），35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22.5 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 26 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1540 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），54W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |