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SI7461DP-T1-E3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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VISHAY(威世)
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PowerPAKSO-8
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500+:￥4.97 100+:￥5.42 30+:￥6.43 10+:￥7.32 1+:￥8.93 |
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3000+:￥5.5224 1+:￥5.7096 |
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1+:￥5.5301 |
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥5.549 1500+:￥5.7371 750+:￥5.9774 100+:￥6.5626 7+:￥7.5554 |
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威世(VISHAY)
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30000+:￥5.841 6000+:￥6.3056 3000+:￥6.6375 800+:￥9.2925 200+:￥13.275 10+:￥21.6051 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.5 毫欧 @ 14.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 190 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |