咨询/建议
IPD068P03L3G
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ@10V,70A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IPD068P03L3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-2(DPAK)
|
2500+:￥2.2 1+:￥2.29 |
1679 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IPD068P03L3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-2(DPAK)
|
2500+:￥2.288 1+:￥2.3816 |
1544 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IPD068P03L3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252
|
1000+:￥2.33 500+:￥2.49 100+:￥2.79 30+:￥3.29 10+:￥3.8 1+:￥4.81 |
2350 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IPD068P03L3G
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-252
|
25000+:￥2.486 5000+:￥2.6838 2500+:￥2.825 800+:￥3.955 200+:￥5.65 10+:￥9.1954 |
7500 |
-
|
油柑网
|
|
|
IPD068P03L3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-2(DPAK)
|
100+:￥2.79 30+:￥3.29 10+:￥3.8 1+:￥4.81 |
4208 |
20+/21+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 70A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V,70A |