SI2307A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.104
22,573
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SI2307A
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.104

1+:¥0.118

5197

24+
立即发货
SI2307A
UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.10816

1+:¥0.12272

5194

24+
1-2工作日发货
SI2307A
UMW(友台半导体)
SOT-23

21000+:¥0.1104

9000+:¥0.1187

3000+:¥0.134

600+:¥0.1708

200+:¥0.2004

20+:¥0.2536

3660

-
立即发货
SI2307A
UMW(友台)
SOT23-3

50000+:¥0.1109

30000+:¥0.1139

10000+:¥0.1188

5000+:¥0.1237

500+:¥0.1336

50+:¥0.1485

3000

-
立即发货
SI2307A
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.156

1500+:¥0.177

250+:¥0.204

5207

-
3天-15天

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 15 nC @ 15 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 565 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3