DTC114EET1G
onsemi(安森美)
SC-75(SOT-416)
¥0.1176
81,914
数字晶体管
晶体管类型:NPN - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
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DTC114EET1G
ON(安森美)
SC-75,SOT-416

3000+:¥0.12

1+:¥0.136

19915

25+
立即发货
DTC114EET1G
ON(安森美)
SC-75(SOT-523)

3000+:¥0.1248

1+:¥0.14144

19913

25+
1-2工作日发货
DTC114EET1G
安森美(onsemi)
SC-75(SOT-523)

30000+:¥0.132

6000+:¥0.1426

3000+:¥0.15

800+:¥0.21

200+:¥0.3

10+:¥0.465

19915

-
DTC114EET1G
onsemi(安森美)
SC-75(SOT-416)

300+:¥0.1717

100+:¥0.1983

10+:¥0.2514

1750

-
立即发货
DTC114EET1G
ON(安森美)
SOT-523

3000+:¥0.18

1500+:¥0.204

220+:¥0.234

19915

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 35 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 200 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-75,SOT-416