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2SC5566-TD-E
onsemi(安森美)
SOT-89
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：225mV @ 100mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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2SC5566-TD-E
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-89
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1+:￥1.862 |
832 |
2221
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现货最快4H发
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京北通宇
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2SC5566-TD-E
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onsemi(安森美)
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SOT-89
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500+:￥2.1 100+:￥2.27 30+:￥2.64 10+:￥2.93 1+:￥3.61 |
964 |
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立创商城
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2SC5566-TD-E
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ON(安森美)
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SOT89-3
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500+:￥1.9469 100+:￥1.999 10+:￥2.2598 1+:￥2.3467 |
73 |
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华秋商城
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2SC5566-TD-E
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ON(安森美)
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SOT-89
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1000+:￥1.56 1+:￥1.68 |
1 |
20+
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圣禾堂
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2SC5566-TD-E
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ON(安森美)
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SOT-89(SOT-89-3)
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1000+:￥1.6224 1+:￥1.7472 |
1 |
20+
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 4 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 225mV @ 100mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 1.3 W |
| 频率 - 跃迁 | 400MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |