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IPD60R400CE
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：14.7A，导通电阻(RDS(on))：400mΩ@10V,3.8A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPD60R400CE
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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500+:￥2.07 100+:￥2.54 30+:￥2.89 10+:￥3.24 1+:￥3.95 |
545 |
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立创商城
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IPD60R400CE
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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25000+:￥2.244 5000+:￥2.4225 2500+:￥2.55 800+:￥3.57 200+:￥5.1 10+:￥8.3003 |
2500 |
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油柑网
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IPD60R400CE
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2500+:￥2.0 1+:￥2.09 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 14.7A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,3.8A |