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IRFB4229PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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TO-220AB
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500+:￥5.05 100+:￥5.5 50+:￥6.49 10+:￥8.4 1+:￥10.0 |
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22+/23+
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在芯间
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 46A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 46 毫欧 @ 26A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 110 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4560 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |