咨询/建议
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：65A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：110A，导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：49A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@4.5V,14A，耗散功率(Pd)：73W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 800mA，8A，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 4A，1V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：160A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：250 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：240A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，最小输入电压(VI(on))：1.3V@5mA,0.2V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@4.5V,3.6A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@4.5V,0.22A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，导通电阻(RDS(on))：500mΩ@4.5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：187mW，直流电流增益(hFE)：35@5.0mA,10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：72mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，导通电阻(RDS(on))：68mΩ@4.5V,3.5A，耗散功率(Pd)：1.1W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：380mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V,2A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5.5A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V,4A，耗散功率(Pd)：1W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：690mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：2W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：6A，耗散功率(Pd)：400mW
晶体管类型：NPN+PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：200mW
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5.5A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V,4A，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：1.5W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：400V，耗散功率(Pd)：1W
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.3V，保持电流(Ih)：15mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：50 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：14 mA @ 10 V，漏极电流 (Id) - 最大值：14 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1.5 V @ 100 nA
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：7，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：达林顿晶体管
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V,10A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：200 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 25mA，250mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V