ULN2003N
HGSEMI(华冠)
DIP-16
¥0.451
2,670
达林顿晶体管阵列
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
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ULN2003N
HGSEMI(华冠)
DIP-16

5000+:¥0.451

2500+:¥0.4806

500+:¥0.5298

150+:¥0.6403

50+:¥0.7288

5+:¥0.9355

2670

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ULN2003N
HGSEMI(华冠)
DIP16_19.8X6.5MM

100+:¥0.53

20+:¥0.55

5+:¥0.56

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
通道数 七路
集射击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 500mA
最大输入电压(VI) 30V