咨询/建议
STGWT60H65DFB
ST(意法半导体)
TO-3P
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，60A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
STGWT60H65DFB
|
意法半导体(ST)
|
TO-3P-3
|
100+:￥27.7501 50+:￥33.3001 10+:￥38.8501 1+:￥48.5627 |
4101 |
-
|
油柑网
|
|
|
STGWT60H65DFB
|
ST(意法半导体)
|
TO-3P
|
300+:￥19.78 1+:￥20.37 |
19 |
21+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
STGWT60H65DFB
|
ST(意法半导体)
|
TO-3P
|
300+:￥20.5712 1+:￥21.1848 |
16 |
21+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
STGWT60H65DFB
|
ST(意法半导体)
|
TO-3P
|
10+:￥22.407 2+:￥25.993 |
19 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
STGWT60H65DFB
|
ST(意法半导体)
|
TO-3P
|
300+:￥20.5712 10+:￥21.1848 1+:￥24.5752 |
19 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，60A |
| 功率 - 最大值 | 375 W |
| 开关能量 | 1.09mJ（开），626µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 306 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 51ns/160ns |
| 测试条件 | 400V，60A，5 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 60 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |