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STGWT30H60DFB
ST(意法半导体)
TO-3P
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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STGWT30H60DFB
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ST(意法半导体)
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TO-3P
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100+:￥18.2426 30+:￥18.6825 10+:￥19.2019 1+:￥20.0552 |
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立即发货
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立创商城
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STGWT30H60DFB
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意法半导体(ST)
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TO-3P-3
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30+:￥23.7157 10+:￥28.4588 1+:￥42.6883 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，30A |
| 功率 - 最大值 | 260 W |
| 开关能量 | 383µJ（开），293µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 149 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 37ns/146ns |
| 测试条件 | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 53 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |