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STGW40V60F
ST(意法半导体)
TO-3PF
¥18.75
140
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
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封装
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STGW40V60F
ST(意法半导体)
TO-3PF

100+:¥18.75

30+:¥19.1

10+:¥19.515

1+:¥20.195

70

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STGW40V60F
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TO-3PF

30+:¥19.1

10+:¥19.515

1+:¥20.195

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20+/21+
STGW40V60F
ST(意法半导体)
TO-247

600+:¥20.08

1+:¥20.65

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STGW40V60F
意法半导体(ST)
TO-3PF

30+:¥24.28

10+:¥29.136

1+:¥43.704

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,40A
功率 - 最大值 283 W
开关能量 456µJ(开),411µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 226 nC
25°C 时 Td(开/关)值 52ns/208ns
测试条件 400V,40A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3