STGW60H65FB
ST(意法半导体)
TO-247
¥19.3229
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IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,60A
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STGW60H65FB
ST(意法半导体)
TO-247

30+:¥19.3229

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规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 240 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值 375 W
开关能量 1.09mJ(开),626µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 306 nC
25°C 时 Td(开/关)值 51ns/160ns
测试条件 400V,60A,5 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3