STGW40M120DF3
ST(意法半导体)
TO-247
¥26.2196
11
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
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STGW40M120DF3
ST(意法半导体)
TO-247

100+:¥26.2196

30+:¥28.6858

10+:¥36.984

1+:¥48.8062

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,40A
功率 - 最大值 468 W
开关能量 1.5mJ(开),2.25mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 125 nC
25°C 时 Td(开/关)值 35ns/140ns
测试条件 600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 355 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3