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STGP10M65DF2
ST(意法半导体)
TO-220
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：40 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，10A
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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STGP10M65DF2
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ST(意法半导体)
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1000+:￥5.09 1+:￥5.27 |
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圣禾堂
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STGP10M65DF2
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ST(意法半导体)
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TO-220
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50+:￥5.1856 |
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立创商城
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STGP10M65DF2
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意法半导体(ST)
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TO-220
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1000+:￥6.88 500+:￥7.912 100+:￥8.6 30+:￥9.632 10+:￥11.696 1+:￥13.76 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 20 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 40 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，10A |
| 功率 - 最大值 | 115 W |
| 开关能量 | 120µJ（开），270µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 28 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 19ns/91ns |
| 测试条件 | 400V，10A，22 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 96 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |