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STGP19NC60SD
ST(意法半导体)
TO-220
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，12A，功率 - 最大值：130 W
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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STGP19NC60SD
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STMicroelectronics
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TO-220
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1000+:￥5.5 500+:￥6.6 100+:￥7.7 |
1247 |
21+
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5-7工作日
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云汉芯城
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STGP19NC60SD
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ST(意法半导体)
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TO-220
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100+:￥3.22 30+:￥3.27 10+:￥3.32 1+:￥3.39 |
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20+/21+
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在芯间
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STGP19NC60SD
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意法半导体(ST)
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TO-220
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100+:￥4.2667 30+:￥5.12 10+:￥6.4001 1+:￥7.6801 |
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油柑网
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STGP19NC60SD
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ST(意法半导体)
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TO-220
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50+:￥18.7059 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 40 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 80 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 1.9V @ 15V，12A |
| 功率 - 最大值 | 130 W |
| 开关能量 | 135µJ（开），815µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 54.5 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 17.5ns/175ns |
| 测试条件 | 480V，12A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 31 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |