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STGB15M65DF2
ST(意法半导体)
D2PAK
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A
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封装
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价格(含税)
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STGB15M65DF2
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STMICROELECTRONICS
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D2PAK
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50+:￥6.8285 1+:￥7.1254 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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STGB15M65DF2
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ST(意法半导体)
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TO-263(D²Pak)
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30+:￥7.3645 10+:￥7.4893 1+:￥8.1134 |
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华秋商城
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STGB15M65DF2
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意法半导体(ST)
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D2PAK
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1000+:￥8.101 100+:￥9.7212 10+:￥11.3414 1+:￥14.8856 |
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油柑网
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STGB15M65DF2
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ST(意法半导体)
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D2PAK
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1000+:￥5.93 1+:￥6.15 |
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圣禾堂
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ST(意法半导体)
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D2PAK
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1000+:￥6.7936 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 30 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 60 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，15A |
| 功率 - 最大值 | 136 W |
| 开关能量 | 90µJ（开），450µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 45 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 24ns/93ns |
| 测试条件 | 400V，15A，12 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 142 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |